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DMN3150LW-7  与  BSS214NW H6327  区别

型号 DMN3150LW-7 BSS214NW H6327
唯样编号 A-DMN3150LW-7 A-BSS214NW H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 88mΩ@1.6A,4.5V 140mΩ@1.5A,4.5V
上升时间 - 7.8ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 800pC
栅极电压Vgs ±12V ±12V
正向跨导 - 最小值 - 4S
封装/外壳 SOT-323 SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 1.6A 1.5A
配置 Single -
长度 2.15 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 - 1.4ns
高度 1 mm -
漏源极电压Vds 28V 20V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 500mW
典型关闭延迟时间 - 6.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMN BSS214
通道数量 1 Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V -
典型接通延迟时间 - 4.1ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 350mW(Ta) 88mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 28V 1.6A

暂无价格 0 当前型号
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS214NW H6327_N 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS214NW H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS214NWH6327XTSA1_20V 1.5A 140mΩ@1.5A,4.5V ±12V 500mW N-Channel -55°C~150°C SOT-323 车规

暂无价格 0 对比

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